让不可见之物可视化：红外成像可用于光刻工艺中的卓越晶圆清洁

利用热对比检测并去除晶圆剥离和清洁过程中的残留物

彻底清洗晶圆和去除残留光刻胶的重要性

光学光刻是用于制造集成电路的一种工艺。首先，将一种感光材料（称为光刻胶）涂到基板上。然后将包含所需图案的光掩模放置在光刻胶上方，光线穿过光掩模，暴露光刻胶的特定区域。这些暴露的区域会发生化学变化，在显影液中可溶或不溶。显影后，图案通过蚀刻、化学气相沉积或离子注入转移到基板上。

一旦结构被蚀刻或沉积在晶圆上，去除光刻胶并彻底清洁晶圆至关重要。此清洁过程通常分为三个不同的阶段。首先，剥离光刻胶。随后，使用专门的化学清洁方法消除晶圆表面上的任何残留物。最后，对表面进行细致的清洁和钝化，为后续处理步骤做好准备。

如果晶圆在后续光刻工艺之前仍含有光刻胶，则可能会出现几个问题。残留的光刻胶会导致后续光刻步骤中图案转移不准确，从而导致晶圆上的电路或特征出现缺陷。不干净的晶圆会引入污染物，干扰材料沉积、蚀刻工艺或其他制造步骤，可能导致设备性能不佳或故障。此外，受污染或清洁不当的晶圆会增加缺陷率，降低生产批次中功能集成电路的总产量。

需要一种成像方法来检测清洁过程中 API 薄膜的残留物或未知位置的污染物，因为它们在可见光谱域中并不总是可见的。

Applications-and-Efficiency-Gains-of-Using-IR-Non-Contact-Temperature-Measurement-in-Semiconductor-Manufacturing

Smallest Sensing Head allows Accurate and Efficient Temperature Monitoring in Lithography

红外成像揭示晶圆上的光刻胶残留物

红外热像仪是实现这一目的的高效工具，因为它们可以使这些颗粒、缺陷或残留物可见。

红外热像仪通过检测物体的热辐射来工作。由于所用残留物和化学清洁剂的辐射行为不同，红外热像仪可捕捉到在可见光谱范围内无法检测到的热对比度。这种热对比度突出显示了有残留物或污染物的区域，从而可以进行精确识别和有针对性的清洁。高分辨率红外热像仪至关重要，因为它可以提供详细的成像来检测晶圆上最小的残留物和污染物。高分辨率增强了红外热像仪捕捉精细细节的能力，使其能够识别低分辨率红外热像仪可能遗漏的微小颗粒。

Pi 640 红外热像仪是一款高性能热成像设备，以其出色的分辨率和精度而闻名。它具有 640 x 480 像素的分辨率，可提供详细的热图像，这对于需要检测小热异常的应用至关重要。其先进的 PIX Connect 软件和坚固的设计使其成为可靠的集成工具。 PI 系列采用紧凑设计，即使在狭小空间内也可以轻松集成。客户可以从各种光学元件中进行选择，例如 60° 镜头，它非常适合覆盖整个反应室并有效监控所有基质。

光学光刻中的红外可视化专家支持

通过实施高分辨率红外热像仪，客户现在可以逐步控制和记录光学光刻工艺。所有相关数据都已捕获并随时可用，从而提供全面的操作概览。任何异常或不当发展都会在红外图像中可见。

通过记录每个步骤和事件，用户可以分析模式并确定需要改进的领域，确保流程随着时间的推移得到优化。这种级别的质量控制和记录支持晶圆产品的生产过程。

Optris 对客户满意度的承诺不仅限于提供高质量的产品，特别是在需要大量研究的应用中。Optris 的合格工程师多次与客户一起访问和测试该应用，确保测温仪配置最佳并达到最高标准。这种实际支持对于克服挑战和将红外热像仪无缝集成到半导体工艺中至关重要。此外，Optris 的持续技术支持可确保及时解决任何问题，让客户受益于他们的专业知识，从而持续优化流程。这种全面的方法可确保立即取得成功并促进长期合作伙伴关系。